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三星236層3D NAND量產(chǎn)
三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其大概為236層的3DNAND存儲器，命名為第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的傳輸速度，當與高級控制器結合使用時，它們可以
2022-11-07
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臺積電入局MRAM
早前臺灣工研院攜手臺積電共同發(fā)表的SOT-MRAM技術，能在低電壓、電流的情況下，達到0 4納米的高速寫入，并具備7兆次的耐受度。該項技術未來
2022-11-01
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偉凌創(chuàng)芯SCLPSRAC1存儲器SRAM替換IS62WVS0648FBLL
ISSI是一家專注于生產(chǎn)存儲芯片技術的翹楚，主要產(chǎn)品包括高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。還設計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號
2022-10-31
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何為SRAM存儲器靜態(tài)隨機存取
存儲器的靜態(tài)隨機存取SRAM它是一種隨機存取存儲器。靜態(tài)這意味著只要這種存儲器保持通電，內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)就可以保持恒定。SRAM存儲單元是由
2022-10-27
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磁性存儲器MRAM
磁性存儲器，Magnetic RAM，簡稱MRAM，是一種基于隧穿磁阻效應的技術。目前主流的MRAM技術是STT MRAM，使用隧道層的巨磁阻效應來讀取位單
2022-10-24
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2023年DDR5有望成主流
DDR5雖然在前兩年上市進入市場，但由于前期價格昂貴、材料短缺、滲透率低，今年因Cpu上市時間遞延，市場形勢不熟悉，但隨著DRAM價格一路下
2022-10-17
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