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32Mb高速SRAM芯片ISSI IS61WV204816BLL
ISSI32Mb高速SRAMISSIIS61WV204816BLL是高速32Mb靜態(tài)RAM,以16位2048K字的形式組織。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加
2021-07-14
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具有糾錯(cuò)碼(ECC)的8Mb高速低功耗異步SRAM
ISSI基于糾錯(cuò)的8Mb高速低功耗異步SRAM這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長(zhǎng)期承諾。該行業(yè)首款基于糾錯(cuò)碼(ECC)的異步SRAM
2021-07-13
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SRAM存儲(chǔ)器是如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用
2021-07-12
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富士通4Mbit串行FRAM對(duì)EEPROM的兼容性更高
富士通半導(dǎo)體MB85RS4MT是一款4MbitFRAM,在富士通FRAM非易失性存儲(chǔ)器的串行接口系列中具有最高的密度。在不斷變化的環(huán)境中,隨著傳感器信息
2021-07-09
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富士通FRAM應(yīng)用領(lǐng)域使用情況
富士通FRAM用于消費(fèi)者和企業(yè)的各種應(yīng)用程序。特別是FRAM已被用于支持對(duì)公眾至關(guān)重要的服務(wù)的基礎(chǔ)設(shè)施和行業(yè)的應(yīng)用。例如FRAM已被用作IC卡信息更新的存儲(chǔ)器、智能電表的用電量數(shù)據(jù)記錄以及
2021-07-08
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2021年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器增幅最大
世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)發(fā)布了截止至2021年5月的最新半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)。該機(jī)構(gòu)預(yù)估,2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)5272億美元,將成長(zhǎng)19
2021-07-07
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