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STT-MRAM成為存儲器的新希望？
由于存儲器制程比較簡單，存儲單元均可快速被復(fù)制，可以幫助先進(jìn)制程工藝快速提升良率。所以，在過去很長的一段時(shí)間內(nèi)，存儲器都扮演著肯為
2019-03-29
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臺積電重返內(nèi)存市場 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場。 臺積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)
2019-03-01
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關(guān)于云醫(yī)療的展望：機(jī)遇和挑戰(zhàn)共存
云 醫(yī)療 是近年才進(jìn)入大家視野的新型概念。實(shí)際上，這種類型的醫(yī)療方式已經(jīng)走進(jìn)了我們的生活。據(jù)媒體報(bào)道，前段時(shí)間，杭州米市巷社區(qū)一位
2019-02-28
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需求增加，價(jià)格下降——2019內(nèi)存市場趨勢預(yù)測
電子元器件產(chǎn)業(yè)鏈在2018年經(jīng)歷了多次原材料缺貨、物料供不應(yīng)求漲價(jià)到供過于求跌價(jià)。內(nèi)存市場也未能幸免，內(nèi)存芯片廠商三星、SK hynix、美光、TOSHIBA、英特爾等爭相在創(chuàng)新技術(shù)上展開激烈競
2019-02-25
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研究人員探索AI的新興記憶
隨著半導(dǎo)體公司尋求更有效地處理人工智能和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算要求的方法，電阻式隨機(jī)存取存儲器（ReRAM）和其他新興存儲器技術(shù)在過去一年中引起
2019-01-02
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IMEC將SRAM芯片面積縮小24% 適用5nm制程節(jié)點(diǎn)
目前半導(dǎo)體制程工藝處于14nm的階段，2017年，英特爾領(lǐng)先公布了它們在7nm、5nm甚至3nm等制程工藝更前沿的布局及進(jìn)展，今年，三星同樣公布了
2018-12-24
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