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三星斥巨資投入至半導(dǎo)體行業(yè)
據(jù)悉，今年三星豪擲260億美元至半導(dǎo)體行業(yè)，被稱(chēng)為半導(dǎo)體史上最大的投資額度。三星的巨額投資將會(huì)影響該行業(yè)未來(lái)的格局，或有可能影響中國(guó)儲(chǔ)存器廠商的發(fā)展。
2017-11-28
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NAND FLASH供貨緩解或?qū)⒃?018年第二季度
由于技術(shù)轉(zhuǎn)換，2D NAND產(chǎn)量縮小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash貨源不足，價(jià)格瘋漲。消費(fèi)類(lèi)閃存產(chǎn)品每GB的單價(jià)從2016年0 12美元上漲到0 3美元以上，主流的eMMC產(chǎn)品上漲幅度超過(guò)60%，SSD產(chǎn)品超過(guò)80%。J
2017-11-27
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美光64層3D NAND后將超過(guò)72層數(shù)
近兩年，幾大存儲(chǔ)芯片廠商皆在由2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND，美光的3D NAND Flash在2016年底量產(chǎn)，第二代64層3D NAND于2017年進(jìn)入量產(chǎn)，由32層32GB開(kāi)始做起，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到64層64GB。美光副總裁Jonathan Shaw表示，
2017-11-27
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雙口sram特點(diǎn)介紹
（1）對(duì)同一地址單元訪問(wèn)的競(jìng)爭(zhēng)控制 如果同時(shí)訪問(wèn)雙口RAM的同一存儲(chǔ)單元，就會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)訪問(wèn)失真。為了防止沖突的發(fā)生，采用Busy邏輯控制，也稱(chēng)硬件地址仲裁邏輯。此處只給出了地址
2017-11-24
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雙口sram簡(jiǎn)介
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：Random Access Memory，RAM）又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為主存。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，一般是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行
2017-11-24
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DRAM、NAND量產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保存很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如
2017-11-23
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