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STT-MRAM寫入速度比讀取速度慢10倍
MRAM是當(dāng)今進(jìn)入商業(yè)生產(chǎn)的眾多非易失性存儲器技術(shù)之一。早期版本，稱為切換 MRAM，已經(jīng)存在了一段時間，最新的商用選項是自旋轉(zhuǎn)移扭矩，或
2022-01-20
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SOT-MRAM與閃存和NAND的對比
在新的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)時代，另一種變體即將加入競爭——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)
2022-01-19
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內(nèi)存Flash簡介
內(nèi)存Flash是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大
2022-01-18
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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM
ISSI型號IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲器，位寬256*12，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工
2022-01-17
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MRAM能否使歐盟回到存儲器競爭的隊伍？
存儲器在電子系統(tǒng)中無處不在，而且用途廣泛：從存儲數(shù)據(jù)到緩存、緩沖，以及最近開發(fā)出的（存內(nèi)）計算。存儲器的種類非常多：從發(fā)熱的快速易
2022-01-12
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Everspin代理256k非易失性MRAM-MR256A08BCYS35
Everspin型號MR256A08BCYS35是一個位寬32Kx8的MRAM存儲芯片。提供SRAM兼容的35ns讀 寫時序，具有無限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過20年的時間里始終
2022-01-11
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