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適用于SSD的異構(gòu)DDR STT-MRAM控制器架構(gòu)
隨著企業(yè)固態(tài)硬盤(SSD)在系統(tǒng)性能和更小的外形尺寸方面不斷突破極限，SSD解決方案提供商面臨著更大的挑戰(zhàn)。需要提高密度、耐用性、性能并添
2021-12-10
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everspin代理四路輸出高速1Mb串行SPI MRAM-MR10Q010
Everspin型號MR10Q010適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。QuadSPI模式下的四個I
2021-12-09
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STT-MRAM以優(yōu)良的性能成為熱門的候選器件
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本
2021-12-08
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FRAM鐵電存儲器比ADAS的傳統(tǒng)EEPROM擁有更多優(yōu)勢
過去幾年，人們對自動駕駛汽車產(chǎn)生了極大的熱情。這的確在情理之中。自動駕駛汽車有望帶來影響深遠(yuǎn)的好處：提高燃油效率、縮短行車時間、提
2021-12-07
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MCU市場應(yīng)用和競爭
現(xiàn)今的MCU已經(jīng)演變成為完整的系統(tǒng)級芯片(SoC)，微處理器內(nèi)核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運(yùn)放和DAC等;內(nèi)置的存儲器包括Fl
2021-12-06
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ISSI代理帶SQI接口串行SRAM芯片IS62WVS5128FBLL-20NLI
ISSI型號IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串行SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技術(shù)，位寬8*512K字節(jié)。它是兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在
2021-12-03
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