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新一代MRAM放眼更廣泛應(yīng)用
在MRAM這類內(nèi)存寫入時(shí)，組件的穿隧氧化層會(huì)承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這
2021-12-02
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靈動(dòng)微電子提供MM32F3270微控制器助力“中移OneOS代碼貢獻(xiàn)賽”
在中移OneOS代碼貢獻(xiàn)賽中，靈動(dòng)微電子將提供MM32F3270微控制器助力此次競(jìng)賽。靈動(dòng)微電子成立于2011年，是中國(guó)本土領(lǐng)先的通用32位MCU產(chǎn)品及
2021-12-01
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實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫入速度、低
2021-11-26
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芯片短缺的真實(shí)原因
對(duì)于芯片短缺的原因，業(yè)界眾說紛紜。典型的說法是新冠疫情這一最大的原罪，導(dǎo)致需求激增，汽車廠商與芯片上游的脫鉤、無計(jì)劃導(dǎo)致矛盾瞬間爆
2021-11-25
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使用非易失性FRAM存儲(chǔ)器替換SRAM時(shí)的問題和解決方案
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通新推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8MbitFRAM存儲(chǔ)
2021-11-23
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ISSI代理64Kx16高速異步SRAM芯片IS61WV6416DBLL
ISSIIS61WV6416DBLL是一款位寬為64Kx16的異步SRAM芯片存儲(chǔ)器，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。,這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相
2021-11-22
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