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三星1z納米EUV制程DRAM規(guī)格曝光
韓國三星近期積極將極紫外(EUV)曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上,并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)《TechInsights
2021-02-23
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?存儲器供給吃緊將持續(xù)到下半年
疫情推升科技宅經(jīng)濟(jì)興起,加上5G與AI等新應(yīng)用爆發(fā)對存儲器需求大增,將帶動產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新一輪向上循環(huán),存儲器將一路缺到下半年。美國德州暴風(fēng)
2021-02-22
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記錄數(shù)據(jù)無限期保留是MRAM理想的選擇
數(shù)據(jù)記錄、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點、邊緣計算設(shè)備中的機(jī)器學(xué)習(xí) 人工智能以及醫(yī)院中的RFID標(biāo)簽都可以用到MRAM。數(shù)據(jù)記錄器需要多兆位的非易失性存儲器來
2021-02-20
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用鐵電存儲器FRAM讓穿戴式設(shè)備更省電
可穿戴設(shè)備應(yīng)用中的顯示屏消耗了大部分電池電力。解決方法之一是直接提高電池容量,但是大容量電池會加大尺寸和重量,對可穿戴設(shè)備不合適,
2021-02-19
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NAND Flash wafer第一季合約價將止跌回穩(wěn)
近兩周以來,主要由于筆電需求仍持續(xù)增加,PC OEM對供應(yīng)商進(jìn)一步積極要求加單client SSD,造成NandFlash需求同步增溫。除此之外上游供應(yīng)
2021-02-07
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?Cypress非易失性FRAM
賽普拉斯半導(dǎo)體提供全面的串行和并行FRAM(鐵電RAM)非易失性存儲器產(chǎn)品組合,以在電源中斷時立即捕獲并保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄
2021-02-05
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