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Everspin MRAM非易失性存儲器的五大優(yōu)勢
說了這么多MRAM在結(jié)構(gòu)上的內(nèi)容,那么MRAM的優(yōu)勢究竟有哪些呢?下面我們分幾點(diǎn)一起來看看:首先,MRAM是非易失性存儲器,也就是斷電后MRAM依舊
2021-02-04
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NOR Flash市場規(guī)模增速喜人
NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nand Flash具有容量大、單位容量成本低等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。
2021-02-03
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Everspin MRAM MR3A16ACMA35替換Fujitsu FRAM MB85R8M2T
Everspin是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售分立磁阻RAM(MRAM)到市場和應(yīng)用的全球領(lǐng)導(dǎo)者,在這些市場和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至
2021-02-02
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電機(jī)驅(qū)動MCU通用功能和技術(shù)點(diǎn)解析
電機(jī)驅(qū)動MCU技術(shù)要點(diǎn)它是電機(jī)控制器即動力輸出。通俗點(diǎn)就是你要加速他讓電機(jī)轉(zhuǎn)得快一些,要剎車他能讓電機(jī)轉(zhuǎn)的慢一點(diǎn)。所以他有如下特點(diǎn):
2021-02-01
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串行SPI NOR閃存VS并行NOR閃存
NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長時間。對于某些低功耗應(yīng)用,串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎
2021-01-29
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非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)
在嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議(包括SPI或串行外圍設(shè)備接口)來
2021-01-28
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