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MRAM緩存可行性比SRAM更高
隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲器已成
2020-05-20
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采用分級字線結(jié)構(gòu)可提高SRAM讀寫速度及降低電路動(dòng)態(tài)功耗
采用分級字線結(jié)構(gòu)的存儲器將整個(gè)存儲陣列劃分為若干個(gè)相同的子陣列。與非分級字線結(jié)構(gòu)相比，它需要采用多級的字線譯碼才能完成對存儲單元的
2020-05-18
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半導(dǎo)體SRAM存儲器綜述
最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用
2020-05-14
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SRAM的發(fā)展概況及趨勢
存儲器作為通用器件，可廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代航天武器系統(tǒng)的控制、制導(dǎo)導(dǎo)航、數(shù)據(jù)采集與傳輸、圖象處理、通訊、測控等不同領(lǐng)域，完全取代國外同類產(chǎn)品，其應(yīng)用前景十分廣闊。
2020-05-12
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關(guān)于如何提高SRAM存儲器的新方法
SRAM是當(dāng)今處理器上最普遍的內(nèi)存。當(dāng)芯片制造商宣布他們已經(jīng)成功地將更多的電路封裝到芯片上時(shí)，通常是較小的晶體管引起了人們的注意。但是
2020-05-09
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鐵電RAM的優(yōu)勢
隨著使鐵電存儲器FRAM的非揮發(fā)性，利用晶體的偏振提供了許多優(yōu)于基于電荷的存儲技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)（見表1）。因?yàn)樗苊饬烁偶夹g(shù)的潛在的降解效
2020-05-07
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