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STM32單片機擴展外部SRAM
IS62WV51216使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）
2020-04-30
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SRAM存儲單元讀操作分析
一個典型的SRAM基本結構中，每個存儲單元都通過字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲單元有電學連接關系。水平方向的連線把所有的存儲單
2020-04-28
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Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF
串行MRAM實現(xiàn)了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。
2020-04-26
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新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比
在非易失性MRAM存儲器方面，Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應用于航空航天等特定領域，并于2019年開始與格芯合作，試生產(chǎn)28nm制程的1Gb STT-MRAM產(chǎn)品。
2020-04-23
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靈動微MCU MM32F103VCT6可替換意法半導體MCU
上海靈動微電子是國內(nèi)本土MCU廠商，針對通用高性能市場的MM32F系列產(chǎn)品。MM32F103系列是市場上常用的一款，此款MM32F103VCT6型號產(chǎn)品可用于替換意法半導體MCU的STM32F103VCT6
2020-04-21
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研究人員開發(fā)一種新的MRAM單元結構
東京工業(yè)大學的研究人員開發(fā)了一種新的MRAM單元結構，該結構依賴于單向自旋霍爾磁阻（USMR）。新的單元結構只有兩層。這可能導致成本更低的MRAM器件。
2020-04-17
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