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靈動微MCU MM32正式入駐
立功科技基于AMetal平臺為靈動微電子MM32 MCU適配了底層驅(qū)動及標(biāo)準(zhǔn)接口，用戶使用時(shí)可以完全脫離用戶手冊及繁雜的寄存器操作，直接調(diào)用AMetal提供的接口函數(shù)，軟件開發(fā)效率將大大提高。
2020-04-01
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存儲器芯片漲幅遠(yuǎn)大于合約價(jià)
目前主要存儲器大廠正密集與系統(tǒng) 模組廠進(jìn)行第2季合約價(jià)議價(jià)。渠道商透露出包括三星等主要的供應(yīng)商已經(jīng)通知調(diào)漲下季DRAM、NAND Flash合約
2020-03-30
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超低功耗ST-MRAM內(nèi)存架構(gòu)
目前有研究人員開發(fā)了一種新的超低功耗ST-MRAM架構(gòu)，稱為Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人員說，SL-ST-MARM同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超高M(jìn)R比，高速開關(guān)和低RA。
2020-03-26
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FLASH擦寫壽命流程
由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達(dá)
2020-03-24
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NAND Flash供不應(yīng)求
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，2019年第四季度的NAND Flash銷售總量季增近10%，市場開始出現(xiàn)逐漸供不應(yīng)求。研究中心認(rèn)為內(nèi)存芯片市
2020-03-20
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MRAM代替DRAM可防止數(shù)據(jù)丟失
STT-MRAM具有出色的工藝微縮能力，并且可以很容易地整合到當(dāng)前的晶圓工藝中。與需要不斷刷新的DRAM不同，STT-MRAM儲存數(shù)據(jù)并不需要消耗功率。用MRAM代替DRAM可以防止數(shù)據(jù)丟失
2020-03-18
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