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三星預(yù)計(jì)2020年MRAM達(dá)到16nm
MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場(chǎng)良性競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。
2020-01-19
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存儲(chǔ)器SRAM仍是主流市場(chǎng)
低功耗SRAM存儲(chǔ)芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1 4 8 16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1 8V 3 3V 5V ，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44 55 75ns
2020-01-16
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ST-MRAM類別及發(fā)展由來(lái)
隨著自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)以及材料和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件應(yīng)運(yùn)而生。自從自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)被證實(shí)以來(lái)，一方面研究人員通過(guò)大量的努力嘗試降低磁化反轉(zhuǎn)的臨界電流
2020-01-14
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串行及并行接口SRAM區(qū)別之處
外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口?？紤]到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。
2020-01-10
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緩存應(yīng)用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特爾顯示了2MB STT-MRAM陣列的L4緩存級(jí)應(yīng)用程序性能和可靠性。這要求在工業(yè)操作溫度范圍內(nèi)具有高密度，高帶寬和高耐久性。表I中所顯示STT-MRAM的L4高速緩存應(yīng)用程序所需的規(guī)范。
2020-01-08
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預(yù)期Nand-flash內(nèi)存需求市場(chǎng)及價(jià)格漲
威剛也指出，資料中心庫(kù)存已回復(fù)正常，需求可望逐步回溫提升，固態(tài)硬盤（SSD）與智能手機(jī)搭載容量成長(zhǎng)，NAND Flash需求強(qiáng)勁，價(jià)格穩(wěn)定態(tài)勢(shì)有機(jī)會(huì)延續(xù)到第4季。
2020-01-06
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