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自動化控制器專用非易失性MRAM MR4A16BMA35
Everspin了解工業(yè)市場客戶的獨特需求,自動化控制器在長期惡劣的工業(yè)環(huán)境中,諸如長期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持之類的功能非常重要。通過避免
2020-06-28
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汽車導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片,由262,144字×8位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)
2020-06-24
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靜態(tài)SDRAM和動態(tài)SDRAM的區(qū)別
SDRAM有一個同步接口,在響應(yīng)控制輸入前會等待一個時鐘信號,這樣就能和計算機的系統(tǒng)總線同步。時鐘被用來驅(qū)動一個有限狀態(tài)機,對進(jìn)入的指
2020-06-23
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國內(nèi)首次實現(xiàn)晶圓級亞百納米ST-MRAM存儲器件制備
STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在STT-MRAM器件中,電子的自旋使用自旋極化電流翻轉(zhuǎn)。這種效果是在磁性隧道結(jié)(MTJ)或自旋閥中實現(xiàn)的,STT-MRAM設(shè)備使用STT隧道結(jié)(STT-MTJ)。
2020-06-22
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使用SRAM如何節(jié)省芯片面積
SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則就會出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會消
2020-06-19
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不同類別存儲器基本原理
存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器分SRAM和DRAM;非易失性存儲器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。
2020-06-18
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