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Everspin MRAM技術(shù)的可靠性
與大多數(shù)其他半導(dǎo)體存儲技術(shù)不同,數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)而不是電荷,并通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲有兩個主要
2020-06-01
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ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL BL和IS65WV20488EALL BLL是高速16M位靜態(tài)RAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度
2020-05-29
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SRAM電路工作原理
近年來,片上存儲器發(fā)展迅速,根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS),隨著超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發(fā)展,晶體管特征尺寸進(jìn)一步縮
2020-05-28
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低功耗SRAM主要三部分功耗來源
隨著SOC 技術(shù)的迅猛發(fā)展,由電池供電的便攜式電子產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用,如智能手機(jī)、運(yùn)動手環(huán)、ipad、部分汽車電子等。近年來半導(dǎo)體工藝已
2020-05-27
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ISSI具有糾錯功能的Async SRAM
近年來,對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計(jì)算機(jī)市場擴(kuò)展到了汽車,通信和數(shù)字消費(fèi),工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量,以幫助處
2020-05-26
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SRAM市場動向
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,SRAM要求低電
2020-05-25
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