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SRAM市場與技術(shù)
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此 SRAM與通常的
2020-05-22
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FRAM鐵電存儲器在汽車應(yīng)用方面的優(yōu)勢
相比于其他市場,汽車市場更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺,技術(shù)已相當(dāng)成熟,汽車行業(yè)的客戶完全可以對此放
2020-05-21
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MRAM緩存可行性比SRAM更高
隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲器已成
2020-05-20
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如何減小SRAM讀寫操作時的串?dāng)_
靜態(tài)存儲器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的存儲器。在SRAM 存儲陣列的設(shè)計中,經(jīng)常會出現(xiàn)串?dāng)_問題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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采用分級字線結(jié)構(gòu)可提高SRAM讀寫速度及降低電路動態(tài)功耗
采用分級字線結(jié)構(gòu)的存儲器將整個存儲陣列劃分為若干個相同的子陣列。與非分級字線結(jié)構(gòu)相比,它需要采用多級的字線譯碼才能完成對存儲單元的
2020-05-18
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SRAM中的功耗來源
在CMOS電路中,功耗的來源主要有兩個方面(1)靜態(tài)功耗,即反向漏電流造成的功耗;(2)動態(tài)功耗,由電路作開關(guān)轉(zhuǎn)換時進(jìn)入過渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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