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緩存應用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特爾顯示了2MB STT-MRAM陣列的L4緩存級應用程序性能和可靠性。這要求在工業(yè)操作溫度范圍內(nèi)具有高密度，高帶寬和高耐久性。表I中所顯示STT-MRAM的L4高速緩存應用程序所需的規(guī)范。
2020-01-08
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MCU廠瞄準物聯(lián)網(wǎng)整合低功耗無線技術(shù)
各MCU廠對物聯(lián)網(wǎng)市場的MCU均會提供Linux RTOS或其它開放來源操作系統(tǒng)、驅(qū)動程序、Firmware,但開發(fā)策略有許多差異。
2020-01-07
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預期Nand-flash內(nèi)存需求市場及價格漲
威剛也指出，資料中心庫存已回復正常，需求可望逐步回溫提升，固態(tài)硬盤（SSD）與智能手機搭載容量成長，NAND Flash需求強勁，價格穩(wěn)定態(tài)勢有機會延續(xù)到第4季。
2020-01-06
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工業(yè)計算應用中的MRAM
對于傳統(tǒng)上依靠電池供電的SRAM的應用，MRAM提供了一種較好的解決方案，因為它具有相同的快速讀 寫速度和無限的耐用性，可以在沒有電源的情況下保留20年以上的數(shù)據(jù)，并具有出色的高溫性能
2020-01-03
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SPI NAND Flash滿足小型化需求
隨著5G網(wǎng)絡即將帶來的數(shù)據(jù)狂潮，萬物互聯(lián)對存儲芯片有了更高的需求，目前SPI SLC NAND 在PON、網(wǎng)通模塊、監(jiān)控等領(lǐng)域也逐步普及，SPI NAND有更快的寫入速度，且對于頻繁擦寫有著更高的穩(wěn)定性。
2020-01-02
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多數(shù)業(yè)者看好未來Nand閃存市場前景
根據(jù)集邦咨詢發(fā)布數(shù)據(jù)，第二季度的Nand閃存合約價跌幅仍相當顯著，第三季度仍將維持跌勢。多數(shù)業(yè)者卻看好未來存儲市場前景。
2019-12-31
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