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新型非易失性MRAM優(yōu)勢
MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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SRAM基本單元的3種狀態(tài)
SRAM的基本單元有3種狀態(tài)：standby (電路處于空閑), reading (讀)與writing (修改內(nèi)容) SRAM的讀或?qū)懩Ｊ奖仨毞謩e具有 "readability "（可讀）與 "write stability "（寫穩(wěn)定）
2020-02-25
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SPI FLASH讀寫介紹
對flash芯片的操作，一般包括對flash芯片的擦除，編程和讀取，各大廠商的SPI flash芯片都大同小異，操作命令基本是沒什么變化的，當(dāng)我們拿到一款芯片，要特別注意芯片的容量，操作分區(qū)等。
2020-02-24
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MR25H256-256Kb串行SPI接口MRAM
MR25H256 MR25H256A是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯上將存儲器陣列組織為32Kx8（ SPI）總線。
2020-02-21
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如何對外擴(kuò)SRAM進(jìn)行讀寫
如何對SRAM進(jìn)行讀寫使用指針的方法進(jìn)行讀寫不需要寫讀寫函數(shù)，可以直接使用指針的方式對STM32的內(nèi)存地址進(jìn)行訪問。（1）首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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汽車電子MCU設(shè)計方法
針對汽車電子領(lǐng)域來講，將對整車級、零部件級的電磁兼容要求強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合到集成電路中的設(shè)計，才能使電路更易于設(shè)計出符合標(biāo)準(zhǔn)的最終產(chǎn)
2020-02-19
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