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帶ECC的CMOS汽車異步SRAM
ISSI IS61 64WV5128EDBLL是高速，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技術制造，這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結(jié)合，可提供高性能和高性能低功耗設備。
2020-03-23
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NAND Flash供不應求
根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調(diào)查，2019年第四季度的NAND Flash銷售總量季增近10%，市場開始出現(xiàn)逐漸供不應求。研究中心認為內(nèi)存芯片市
2020-03-20
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QDR與DDR SRAM
由賽普拉斯、瑞薩、IDT、NEC和三星公司組成的QDR協(xié)會開發(fā)出了QDR SRAM，旨在通過把性能提升為原先的4倍來滿足那些不僅需要標準ZBT(零總線
2020-03-19
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MRAM代替DRAM可防止數(shù)據(jù)丟失
STT-MRAM具有出色的工藝微縮能力，并且可以很容易地整合到當前的晶圓工藝中。與需要不斷刷新的DRAM不同，STT-MRAM儲存數(shù)據(jù)并不需要消耗功率。用MRAM代替DRAM可以防止數(shù)據(jù)丟失
2020-03-18
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SuperPro支持MRAM技術
XeltekSuperPro編程支持EverspinTechnologies，Inc 的并行I OSRAM接口和SPI串行接口MRAM產(chǎn)品。Everspin的用于并行I OSRAM接口和SPI串行接口MRAM產(chǎn)品的Xeltek編程器。
2020-03-17
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嵌入式MRAM適用于物聯(lián)網(wǎng)設備應用
MRAM技術自20世紀90年代以來一直在發(fā)展，但尚未取得廣泛的商業(yè)成功。三星研發(fā)中心的首席工程師認為現(xiàn)在是展示可制造和商業(yè)化的時候了。除了
2020-03-16
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