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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速,低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM,組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的,并實(shí)現(xiàn)了ECC功能
2020-02-18
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MRAM場(chǎng)合應(yīng)用的例子
MRAM目前處于鎖定三大技術(shù)的早期階段:其一是作為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)領(lǐng)域的替代方案,特別是嵌入式NOR flash。此外它還可以作為傳統(tǒng)CMOS
2020-02-17
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外部SRAM應(yīng)用場(chǎng)合
SRAM也是隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數(shù)據(jù),反應(yīng)時(shí)間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短,而SDRAM在這一點(diǎn)上做得并不好。
2020-01-21
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外部SRAM的優(yōu)缺點(diǎn)
部SRAM存儲(chǔ)器所提供比片內(nèi)存儲(chǔ)器更大的存儲(chǔ)容量,速度則是相當(dāng)快,但是稍略遜于片內(nèi)存儲(chǔ)器。常用的外部SRAM的容量可達(dá)128KB至10MB。
2020-01-20
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三星預(yù)計(jì)2020年MRAM達(dá)到16nm
MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外,機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多,這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場(chǎng)良性競(jìng)爭的結(jié)果。
2020-01-19
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可穿戴電子設(shè)備中的SRAM
在所有可用的存儲(chǔ)器中,SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因?yàn)樗cDRAM相比待機(jī)電流消耗較低,而且其存取時(shí)間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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