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MRAM的讀寫能耗均比SRAM小
在關(guān)于5nm嵌入式MRAM的論文中，該模型與5nm節(jié)點相互兼容。對于讀寫操作方面，pMTJ稱訪問延遲分別小于2 5ns和7 1ns。分析表明STT-MRAM滿足了
2020-03-13
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用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM
Everspin的16兆位MR4A16BMA35 Toggle MRAM專為要求極高數(shù)據(jù)可靠性和速度的應(yīng)用而設(shè)計，它具有市場上最快的非易失性存儲器，對稱的讀寫性能和無限的耐用性，從而使系統(tǒng)設(shè)計人員受益。
2020-03-12
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2019年Nand存儲器市場跌幅最大
存儲器市場在2019年占半導(dǎo)體銷售額的26 7％，收入同比下降了31 5％。 在內(nèi)存領(lǐng)域的DRAM收入下降了37 5％，這是由于從2018年底開始一直持續(xù)
2020-03-11
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SRAM存儲器主板操作確認
對已完成的sram存儲器主板進行操作。在msdos模式下啟動，利用debug指令，從d0000h開始試著進行數(shù)據(jù)的讀 寫操作。如果確認了主板能夠正常運
2020-03-10
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疫情下DDR3芯片現(xiàn)貨市場行情
春節(jié)前的存儲價格一路高漲，各大存儲廠的庫存壓力逐漸縮小，而市場上的現(xiàn)貨庫存有限導(dǎo)致了許多終端提前備貨。在2月開工的存儲產(chǎn)業(yè)的需求也
2020-03-09
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各種異步SRAM比較
那些不具備時鐘輸入的sram便是異步型的。在這些器件中，讀操作和寫操作將在器件接收到指令之后立即被啟動。采用異步型sram最大的優(yōu)點之一是
2020-03-06
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